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ROHM RQ5L015SPTL MOSFET, CA-P, -60V, -1.5A, TSMT


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N. Articolo:
     8585-2706637
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ5L015SPTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RQ5L015SPTL, 2706637, 270-6637
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