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ROHM RS1E300GNTB MOSFET, CA-N, 30V, 80A, HSOP


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2706649
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RS1E300GNTB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0017 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HSOP Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RS1E300GNTB, 2706649, 270-6649
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