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ROHM RZR020P01TL MOSFET, CA-P, -12V, -2A TSMT


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2706704
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RZR020P01TL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.075 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RZR020P01TL, 2706704, 270-6704
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