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VISHAY SIRA20DP-T1-RE3 MOSFET, CA-N, 25V, 100A, POWERPAK SO
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2708299
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SIRA20DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 480 µohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 25 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
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Effetto
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Singoli
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VISHAY
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SIRA20DP-T1-RE3
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270-8299
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