Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2708308 N. Art. Produtt.: SQ4080EY-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 7.1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQ4080EY-T1_GE3, 2708308, 270-8308 |
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