Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2725879 N. Art. Produtt.: IRF1010NSTRLPBF EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 85 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263AB Tensione Drain Source Vds 55 V Dissipazione di potenza 180 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IRF1010NSTRLPBF, 2725879, 272-5879 |
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| | | Offerte (3) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 800 | | Franco domicilio | a partire da € 0,639* | € 0,792* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 0,648* | € 1,79* | | | | | | 3 giorni | | | 1 | | € 10,00* | a partire da € 1,78* | € 2,52* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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