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INFINEON FF150R12KE3GHOSA1 IGBT, MODULO, CA-N, 1.2KV, 225A


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N. Articolo:
     8585-2726118
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FF150R12KE3GHOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti 62mm C Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 225 A Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.7 V Dissipazione di potenza 780 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 3 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT doppio
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FF150R12KE3GHOSA1, 2726118, 272-6118
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