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INFINEON FZ1200R45KL3B5NOSA1 TRANSISTOR, MODULO IGBT, 4.5KV, 1,2KA


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N. Articolo:
     8585-2726194
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FZ1200R45KL3B5NOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti IVH 190 Massima tensione Collettore-Emettitore 4.5 kV Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 1.2 kA Terminazione IGBT Tab Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2.5 V Dissipazione di potenza 13.5 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 3 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT commutatore singolo
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FZ1200R45KL3B5NOSA1, 2726194, 272-6194
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