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Articolo
ONSEMI NTGD3148NT1G MOSFET, DOPP CAN N 20V, 3.5A, TSOP
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2728025
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTGD3148NT1G
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.5 A Resistenza RdsON canale N 0.0417 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0417 ohm Dissipazione di potenza canale N 900 mW Dissipazione di potenza canale P 900 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Doppi
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Effetto
,
Semiconduttori
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ONSEMI
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NTGD3148NT1G
,
2728025
,
272-8025
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