ONSEMI NTLJF4156NT1G MOSFET, CA-N, 30V, 3,7A, WDFN

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.047 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N + Schottky Corrente Continua di Drain Id 3.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)