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ONSEMI NVTFS5116PLTWG MOSFET, AEC-Q101, CA-P, -60V, WDFN


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2728053
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVTFS5116PLTWG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.037 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 14 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 21 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVTFS5116PLTWG, 2728053, 272-8053
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