Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2729684 N. Art. Produtt.:
STP8N90K5 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.6 ohm Gamma di prodotti MDmesh Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 900 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STP8N90K5, 2729684, 272-9684 |
| | |
| |