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ONSEMI NVD5C684NLT4G MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 60V, TO-252


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N. Articolo:
     8585-2760517
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVD5C684NLT4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0137 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 38 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 27 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVD5C684NLT4G, 2760517, 276-0517
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