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ONSEMI FDMS86180 MOSFET, CANALE N, 100V, 151A, POWER 56-8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2762548
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS86180
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0024 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 151 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Power 56 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 138 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDMS86180, 2762548, 276-2548
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