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CYPRESS SEMICONDUCTOR CY14B104NA-ZS45XI Configurazione Memoria NVRAM 512K x 16


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2767900
Produttore:
     Cypress Semiconductors
N. Art. Produtt.:
     CY14B104NA-ZS45XI
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Memoria NVRAM
Memorias NVRAM
SRAM
memoria nvram
Configurazione Memoria NVRAM 512K x 16 bit Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 3.6 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 44 Pin Dimensione Memoria 4 Mbit Modello Case Memoria CI TSOP-II Tipo di Interfaccia CI interfaccia parallela Temperatura di esercizio max 85 °C Tipo di Memoria SRAM Tempo di Accesso 45 ns Temperatura di esercizio min -40 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tensione di alimentazione min 2.7 V
Altri termini di ricerca: Circuiti, integrati, Memorie, Semiconduttori, Volatili, CYPRESS SEMICONDUCTOR, CY14B104NA-ZS45XI, 2767900, 276-7900
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