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ROHM RUL035N02FRATR MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 20V, TUMT


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2769556
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RUL035N02FRATR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.031 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TUMT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RUL035N02FRATR, 2769556, 276-9556
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