Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2771839 N. Art. Produtt.:
SQSA80ENW-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQSA80ENW-T1_GE3, 2771839, 277-1839 |
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