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STMICROELECTRONICS STP110N10F7 MOSFET, CANALE N, 100V 110A, TO-220AB
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2807210
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STP110N10F7
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0051 ohm Gamma di prodotti DeepGATE STripFET VII Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 110 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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STMICROELECTRONICS
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2807210
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280-7210
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