Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2825160 N. Art. Produtt.:
FDMA86265P EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.86 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MicroFET Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 2.4 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDMA86265P, 2825160, 282-5160 |
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