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ONSEMI FCD850N80Z MOSFET, CA-N, 800V 6A, TO-252-3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2825204
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCD850N80Z
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.71 ohm Gamma di prodotti SuperFET II Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 75 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FCD850N80Z, 2825204, 282-5204
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