ONSEMI NVMFD5C650NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DOPPIO CA-N 60V, DFN-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 111 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 111 A Resistenza RdsON canale N 0.0035 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0035 ohm Dissipazione di potenza canale N 125 W Dissipazione di potenza canale P 125 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)