Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2835610 N. Art. Produtt.: NVMFD5C674NLT1G EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 42 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 42 A Resistenza RdsON canale N 0.0117 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0117 ohm Dissipazione di potenza canale N 37 W Dissipazione di potenza canale P 37 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, NVMFD5C674NLT1G, 2835610, 283-5610 |
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