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ONSEMI MJD117T4G TRANSISTOR, PNP, -100V, -2A, TO-252


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2845303
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MJD117T4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Polarità Transistor PNP Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo 100 V Gamma di prodotti - Guadagno di Corrente CC hFE 200 hFE Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore CC 2 A Numero di pin 4 Pin Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Case Transistor RF TO-252 (DPAK) Dissipazione di Potenza Pd 20 W Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: Darlington, Discreti, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, MJD117T4G, 2845303, 284-5303
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