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VISHAY SI7129DN-T1-GE3 MOSFET, CA-P, -30V, -35A, POWERPAK 1212


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N. Articolo:
     8585-2889722
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7129DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0095 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 35 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 52.1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI7129DN-T1-GE3, 2889722, 288-9722
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