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ONSEMI NTMFS6H818NT1G MOSFET, CA-N, 80V, 123A, DFN


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N. Articolo:
     8585-2895651
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTMFS6H818NT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0031 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 123 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMFS6H818NT1G, 2895651, 289-5651
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