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ONSEMI FCP125N65S3R0 MOSFET, CA-N, 650V, 24A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-2895653
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCP125N65S3R0
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.105 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 181 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FCP125N65S3R0, 2895653, 289-5653
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