Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2895669 N. Art. Produtt.: NCD5702DR2G EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Corrente di Source (Sorgente) 7.8 A Tipo di Interruttore di Potenza IGBT Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Invertente Tensione di alimentazione max 35 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 16 Pin Corrente di Sink (Pozzo) 6.8 A Configurazione Driver High Side e Low Side Package/case del circuito integrato SOIC Numero di canali 1 Canali Temperatura di esercizio max 125 °C Tipo di Gate Driver non isolato Montaggio CI montaggio superficiale Ritardo in Uscita 54 ns Ritardo Ingresso 59 ns Temperatura di esercizio min -40 °C Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di alimentazione min - |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor igbt, Circuiti, driver, Gate, gestione, integrati, PMIC, potenza, Semiconduttori, ONSEMI, NCD5702DR2G, 2895669, 289-5669 |
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