Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2895719 N. Art. Produtt.:
NVMFD5C668NLT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 68 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 68 A Resistenza RdsON canale N 0.0054 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0054 ohm Dissipazione di potenza canale N 57.5 W Dissipazione di potenza canale P 57.5 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, NVMFD5C668NLT1G, 2895719, 289-5719 |
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