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ROHM RGW80TK65DGVC11 IGBT, SINGOLO, 650V, 39A, TO-3PFM


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2900175
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGW80TK65DGVC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor TO-3PFM Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.5 V Corrente di collettore continua 39 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 81 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Montaggio Transistore foro passante (THT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RGW80TK65DGVC11, 2900175, 290-0175
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