VISHAY SQJ431AEP-T1_GE3 MOSFET, CANALE P, -200V, -9.4A, 175°C

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.254 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 9.4 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 68 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised