VISHAY SQM40016EM_GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 810 µohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 250 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised