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VISHAY SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET, DOPPIO CA-N 30V, 60A, POWERPAIR


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N. Articolo:
     8585-2932986
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZF916DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 60 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV SkyFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 60 A Resistenza RdsON canale N 900 µohm Tipo di canale canale N + Schottky Resistenza RdsON canale P 900 µohm Dissipazione di potenza canale N 60 W Dissipazione di potenza canale P 60 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAIR Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SIZF916DT-T1-GE3, 2932986, 293-2986
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