Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2932988 N. Art. Produtt.:
SQ3987EV-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3 A Resistenza RdsON canale N 0.085 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.085 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.67 W Dissipazione di potenza canale P 1.67 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TSOP Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SQ3987EV-T1_GE3, 2932988, 293-2988 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
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