NEXPERIA PMPB10XNEAX MOSFET, CH-N, 20V, 9A, 12.5W, SOT-1220

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.01 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1220 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 12.5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 650 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)