ROHM SCT3017ALGC11 MOSFET, CANALE N 650V, 118A, 175°C, 427W

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.017 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 118 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 427 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)