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ROHM RQ5E025SNTL MOSFET, CANALE N, 2,5A, 30V, SOT-346T


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N. Articolo:
     8585-2948679
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ5E025SNTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.05 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-346T Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RQ5E025SNTL, 2948679, 294-8679
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