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Articolo
ONSEMI NVTFS6H888NTAG MOSFET, CANALE N 80V, 12A, 175°C, 18W
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2981246
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVTFS6H888NTAG
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0457 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 18 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
mosfet 12a
,
transistor a effetto campo
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(FET)
,
Campo
,
Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
,
Transistori
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ONSEMI
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NVTFS6H888NTAG
,
2981246
,
298-1246
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