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NXP MRFX600HSR5 TRANSISTOR FET RF, 179V, NI-780S


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2985303
Produttore:
     NXP
N. Art. Produtt.:
     MRFX600HSR5
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore flangia Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id - Temperatura di esercizio max 225 °C Stile di Case del Transistor NI-780S Tensione Drain Source Vds 179 V Frequenza Operativa Min 1.8 MHz Dissipazione di potenza 1.333 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Frequenza Operativa Max 400 MHz
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, MRFX600HSR5, 2985303, 298-5303
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