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NXP MRF101BN TRANSISTOR FET RF, 133V, 182W, TO-220


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2985309
Produttore:
     NXP
N. Art. Produtt.:
     MRF101BN
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti MRF101AN, MRF101BN Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id - Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 133 V Frequenza Operativa Min 1.8 MHz Dissipazione di potenza 182 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Frequenza Operativa Max 250 MHz
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, MRF101BN, 2985309, 298-5309
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