Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2985434 N. Art. Produtt.: FDS6875 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N - Corrente di drain continua (Id) canale P 6 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N - Resistenza RdsON canale N - Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.024 ohm Dissipazione di potenza canale N - Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, MOSFET, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, FDS6875, 2985434, 298-5434 |
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