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STARPOWER MD120HFR120C2S MODULO MOSFET, 1.2KV, 200A, 150°C


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N. Articolo:
     8585-2986055
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     MD120HFR120C2S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.01 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Corrente Continua di Drain Id 200 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, STARPOWER, MD120HFR120C2S, 2986055, 298-6055
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