Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2986058 N. Art. Produtt.: MD300HFR120B3S EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.005 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Corrente Continua di Drain Id 381 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, STARPOWER, MD300HFR120B3S, 2986058, 298-6058 |
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