Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2986059 N. Art. Produtt.: MD400HFR120C2S EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0033 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Corrente Continua di Drain Id 542 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, STARPOWER, MD400HFR120C2S, 2986059, 298-6059 |
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