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STARPOWER GD100HFY120C1S MODULO IGBT, 1.2KV, 155A, 150°C, 511W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2986060
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD100HFY120C1S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 155 A Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2 V Dissipazione di potenza 511 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte
Altri termini di ricerca: Transistore, Array transistor, Array vettore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD100HFY120C1S, 2986060, 298-6060
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