Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2986060 N. Art. Produtt.: GD100HFY120C1S EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 155 A Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2 V Dissipazione di potenza 511 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistore, Array transistor, Array vettore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD100HFY120C1S, 2986060, 298-6060 |
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