Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2986371 N. Art. Produtt.: FP10R12W1T4PBPSA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 10 A Terminazione IGBT montaggio a pressione Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.85 V Dissipazione di potenza - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 4 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistore, transistori npn, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FP10R12W1T4PBPSA1, 2986371, 298-6371 |
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