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ONSEMI FDMS8622 MOSFET, CANALE N, 100V, 16,5A, PQFN
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3003882
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDMS8622
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 16.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PQFN Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 31 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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ONSEMI
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FDMS8622
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3003882
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300-3882
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