Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3004005 N. Art. Produtt.:
FDB20N50F EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.22 ohm Gamma di prodotti UniFET FRFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDB20N50F, 3004005, 300-4005 |
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