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ROHM R6004JND3TL1 MOSFET, CANALE N, 4A, 600V, TO-252


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-3018850
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6004JND3TL1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6004JND3TL1, 3018850, 301-8850
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