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ROHM R6009JNJGTL MOSFET, CANALE N, 9A, 600V, TO-263S


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N. Articolo:
     8585-3018861
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6009JNJGTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.45 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263S Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ROHM, R6009JNJGTL, 3018861, 301-8861
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