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ONSEMI NVHL080N120SC1 MOSFET, AEC-Q101, CAN N, 1,2KV, TO-247


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N. Articolo:
     8585-3018978
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVHL080N120SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 44 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 348 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NVHL080N120SC1, 3018978, 301-8978
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